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Gazettabyte:Scintil光子打造III-V与硅一体的集成技术

光纤在线编辑部  2020-02-10 17:59:20 翻译整理 文章热度:

2/10/2020, 发光,调制,路由,滤光,检测,全部都在硅上实现的支持规模制造的半导体集成光路器件开发商SCINTIL光子上月底继去年九月获得440万欧元首轮融资之后再次成为业内关注的对象。这次关注他们的是著名的光通信博客Gazettabyte。

在女CEO兼CTO Sylvia Menezo的领导下,Scintil光子的特长在于将III-V族材料叠加到硅衬底上以实现激光,放大以及调制等功能。自从去年首轮融资以后,与未经公开名字的商业流片机构合作,这家法国初创公司已经在稳步扩大自己的员工队伍,从八个发展到十多个。

Menezo女士此前曾经担任法国科研服务机构CEA-Leti旗下硅光实验室和业务发展机构负责人。在那时候,也有不少客户希望投资Leti的硅光技术。但是硅上如何生长III-V族材料的技术一直并不成熟。Menezo女士表示,要实现这个技术,需要专业的团队,更需要一大笔及时的投资。于是她找到Leti的领导。在他们的支持下,Menezo女士辞职专心发展这一技术。CEA也在新公司里占有最初的股份。多年以前编辑曾经采访过CEA-Leti。类似于台湾的工研院,这家机构主要的目标就是实现技术向制造的转移,创造更多的工作机会。

         Scintil工艺简介
不同于其他硅光初创公司,Scintil光子在InP和硅光两个领域都很擅长。他们的目标是全集成的PIC产品,他们的光集成器件库里包括了激光器,调制器,波导,滤光器和探测器等。Menezo表示:“我们的制造流程对CMOS工艺友好,并基于现有的硅光技术,我们的目标是同时制造III-V族和硅光器件,并且实现商用化。”具体来说,在外面的商用硅光流片机构做完硅光芯片后,再利用Scintil自己的工艺将这片晶圆键合到一个硅基材料上,倒装,然后刻蚀出SOI(Silicon-on-Insulator)衬底。InP层被键合到这层硅衬底层上,随后再用CMOS工艺来制作激光器,SOA和调制器等。这个工艺的优点就是CMOS友好,工艺标准,III-V族器件的刻蚀和电接触工艺都兼容CMOS。另外这个工艺的优点还在于可扩展。在不影响III-V族材料集成基础上,新的材料和功能可以逐步增加到硅光工艺中。在Menezo看来,这个技术未来很有机会和今天的CMOS一样友好。

根据Gazettabyte的介绍,Scintil光子已经在开发用于800Gbps和1.6Tbps相干通信客户侧的光集成器件,类似8x100Gbps的器件。另外的应用则是光电混合封装Co-packaged技术,用于芯片级的光互联。
招商热线:0755-26090113
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