OIF 出席 DesignCon 2020讨论CEI-112G

光纤在线编辑部  2020-01-15 08:46:05  文章来源:本站消息  版权所有,未经许可严禁转载.

导读:光互联论坛OIF今天宣布将在今年美国加州Santa Clara DesignCon期间举办活动,介绍OIF新的CEI-112G 电接口发展状况以及新的包括芯片组封装,光电混合封装和内部线缆连接方案等在内的新架构,具体时间为1月29日当地时间下午3点45分。

1/14/2020, 光互联论坛OIF今天宣布将在今年美国加州Santa Clara DesignCon期间举办活动,介绍OIF新的CEI-112G 电接口发展状况以及新的包括芯片组封装,光电混合封装和内部线缆连接方案等在内的新架构,具体时间为1月29日当地时间下午3点45分。 

这次活动名为“促进新架构:OIF的CEI-112G电接口进展”,主要内容包括MCM, XSR, VSR,MR和LR五种接口。这些新接口预计将会改变从裸芯片到裸芯片连接到背板和电缆连接的下一代芯片设计的方案。

OIF参加讨论的嘉宾包括:
OIF主席,TE Connectivity Nathan Tracy
OIF委员,博通公司Cathy Liu
OIF 物理层和链路层互联工作组主席,是德公司Steve Sekel
OIF技术委员会主席,Semtech公司Ed Frlan
OIF委员,思科公司Gary Nicholl
OIF委员,英特尔公司Mike Li

OIF 主席Tracy指出,112Gbps电接口是更快,更高效和更经济的数据中心的关键技术。这次在DesignCon上的讨论将进一步促进行业对112Gbps电接口及带来的设计架构变化的关注。
关键字: OIF CEI-112G DesignCon
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