韩国三星积极开发3纳米芯片工艺

光纤在线编辑部  2020-01-06 12:06:14  文章来源:综合整理  版权所有,未经许可严禁转载.

导读:3纳米级半导体工艺计划首先应用到三星的晶圆代工(foundry)工程之中。三星计划明年下半年在全球最早实现3纳米级芯片的批量生产。

1/6/2020光纤在线讯:三星电子副会长李在镕近日参观正在开发“全球第一个3纳米级半导体工艺”的韩国京畿道华城半导体工厂,并听取了关于3纳米工艺技术的报告,他还与三星电子半导体部门社长团讨论了新一代半导体战略。

据了解,三星电子计划利用极紫外光刻(EUV)工艺,提高在7纳米以下精细工程市场的份额。3纳米级半导体工艺计划首先应用到三星的晶圆代工(foundry)工程之中。三星计划明年下半年在全球最早实现3纳米级芯片的批量生产。

三星电子将在最新的3纳米工程中使用不同于其他工程的新一代工艺“GAA”。三星电子负责半导体产业的部门表示,基于GAA工艺的3纳米芯片面积可以比最近完成开发的5纳米产品面积缩小35%以上,耗电量减少50%,处理速度可提高30%左右
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