AOI获得外腔激光器技术专利

光纤在线编辑部  2004-09-01 08:31:03  文章来源:综合整理  版权所有,未经许可严禁转载.

导读:

8/31/2004,领先的半导体激光器制造商AOI日前宣布从Micron Optics公司手中获得美国专利6,263,002。该专利是外腔半导体激光器的基础性专利。AOI此前已经拥有关于利用光线端面制作的外腔半导体激光器技术美国专利6669367。AOI公司指出外腔半导体激光器在DWDM, 超长距离传输,可调激光器等诸多领域都有广泛的用途。相比于现有的DFB和DBR激光器技术,这种技术经济性更好。新获得的专利技术大大加强了AOI在外腔激光器领域的实力。AOI公司的创始人兼CEO Thompson Lin博士表示光器件的市场正在持续发展,外腔激光器这种技术正在获得更多的重视。
为获得Micron Optics的技术,AOI向其转让了若干VCSEL的技术专利。
关键字: AOI 先进激光器
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