SiFotonics面向下一代数据中心推出400G DR4及100G DR1集成芯片

光纤在线编辑部  2018-04-25 13:14:35  文章来源:本站消息  版权所有,未经许可严禁转载.

导读:

4/24/2018,国际领先的硅光技术公司之一SiFotonics近日正式推出面向下一代数据中心的400G DR4硅光全集成芯片MP5041,及单通道100G DR1集成芯片MP5001。

面向400G DR4的MP5041芯片集成了超过30个有源/无源硅光器件(包括4通道53GBaud硅基MZ调制器,4通道53GBaud波导Ge/Si探测器,光功率监控探测器,在片负载,在片电容,以及多个无源波导器件等)。这款高度集成芯片的整体面积在几十mm2量级,满足下一代400G小型化模块(如QSFP56-DD, COBO等)的尺寸需求。这种高集成度解决方案将为数据中心400G传输带来封装难度和成本的大幅下降,这对400G的大规模商用至关重要。

MP5041芯片中的硅光调制器采用了SiFotonics的最新结构设计和优化工艺,插入损耗和驱动电压均较低,器件的高带宽特性使得在高速工作时仍能保证较大的消光比,所有重要指标满足400G DR4模块发射端应用要求。下图是该调制器50G的NRZ光眼图:


           测试条件: Vpp=3V, 50Gb/s NRZ, RT

此外,该集成芯片中探测器也采用了SiFotonics的最新波导探测器设计,同时实现了高带宽、高响应度和低暗电流,所有重要指标满足400G DR4模块接收端应用要求。下图是该探测器S21曲线:

           测试条件:-13dBm, 50-Ohm load, RT

除了4通道集成芯片以外,SiFotonics也同步推出了单通道100G DR解决方案MP5001。该芯片集成了单通道53GBaud硅基MZ调制器和单通道53GBaud波导Ge/Si探测器,以及相应的有源/无源硅光器件。该芯片将助力100G DR在数据中心和5G无线传输中的应用。

随着数据中心100G的大规模应用,400G的大规模应用就在2019-2020左右发生。SiFotonics CEO潘栋博士表示:“由于硅光的特性,例如缺乏激光器和较大的调制器损耗,一开始,我们布局于开发高灵敏度探测器的制作来弥补硅光器件的损耗要求。现在,经过十年的原创积累,我们的北京团队和半导体CMOS厂紧密合作,走出一条新路,已全面掌握了材料、光器件设计及制作工艺(包括完整的PDK),特别是光集成芯片的集成技术。自有的芯片设计到流片,可在3个月左右完成,使得我们可以在过去一年中相继推出国际领先的56GBaud高灵敏度APD芯片,100G/400G 相干接收机,现在又推出针对400G的DR4芯片。我们认为在400G数据中心和相干技术的应用上,硅光的优势会十分明显,硅光技术的大规模应用会很快到来。”

关于SiFotonics:
SiFotonics Technologies是国际硅光子器件与集成技术的开创者与领导者,为客户设计、制造和提供下一代高速光电集成解决方案。自2006年以来,公司一直致力于硅光子技术的研发与产品化,与CMOS Foundry合作开发专属硅光产线。SiFotonics已实现锗硅光电探测器 (Ge/Si PIN)、锗硅雪崩光电探测器 (Ge/Si APD) 等产品的量产化,现已向市场全面推出10G/25G/56G PIN和APD芯片及其阵列,覆盖波长范围850nm~1577nm。目前该产线也已完成硅光子集成技术的相关工艺调试,并成功试产高性能100G相干接收机芯片CR4Q01。
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