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OIF 专家在 DesignCon介绍CEI-112G标准进展


光纤在线编辑部  2019-01-24 08:11:32 本站消息 浏览次数:
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1/23/2019, 光纤在线美国Fremont消息,在本月29日到31日于美国Santa Clara举办的新一届DesignCon大会上,一组OIF专家将会介绍和讨论进行中的关于CEI(通用电气输入输出)-112G接口的工作。1月31日下午3点45分,OIF专家将会围绕CEI-112G MCM, XSR, VSR, MR以及LR等进行分享。参加讨论的OIF专家包括来自Kandou Bus的Brian Holden,博通的Cathy Liu,Keysight的Steve Sekel以及TE Connectivity的Nathan Tracy,他也是OIF主席。

112Gb/s电接口的应用包括了裸芯片到裸芯片,芯片到模组,芯片到芯片以及基于背板和线缆的长距离传输等。2000年以来,OIF为CEI一直在进行互通协议IA的定义。CEI的文档定义了6Gbps,11Gbps, 28Gbps,56Gbps下互通电通道的互通接口规范,112Gbps的标准正在制定中。2016年8月,首个CEI-112G项目组成立,如今已经扩展到5个项目。

OIF主席Tracy指出,OIF以往制定的标准被广泛使用,并产生了很大的影响,被许多其他高速互通接口标准所借鉴。在112Gbps标准领域,OIF的专家将会向业界介绍这个领域的方向和挑战。

CEI-112G IA目前主要的问题在于信号完整性,实现的复杂度以及测量等问题。在高速下,信号更容易发生损害,导致串扰等现象发生。交换速度和SerDes的密度没有跟上其他领域硅芯片的进展。最后,足够精确地探测和重复捕捉这些信号也是问题
编辑:Cfol        

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