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新加坡AMF发布SiN-on-Si硅光集成工艺


光纤在线编辑部  2018-11-13 12:54:52 翻译整理 浏览次数:
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11/13/2018, 去年年底从新加坡科技研究总局A*STAR旗下光集成芯片流片平台IME剥离出来的硅基光电子芯片晶圆流片公司AMF(先进微晶圆线)日前宣布推出多层SiN-on-Si集成平台,基于该平台可以支持3D光子纳米结构的密集集成,实现高性能,小尺寸,低损耗,方便制造的光子集成器件。

AMF表示SiN-on-Si工艺相比传统用于硅光器件的SOI工艺更有优势。该公司CEO Tan Yong Tsong博士指出,在类似超大规模LS光子集成芯片中,需要更高密度的片上光回路,SOI实现不了这么高的密度。为此,需要在硅层上面增加损耗更低的一层材料以满足复杂的需求。

AMF指出SiN-on-Si工艺主要满足一些特殊的需求,SiN的低损耗,低折射率(相对包层氧化层)也提高了制造便利性,适合制作AWG和其他产品。同时SiN-on-Si也支持实现高速调制器,锗探测器,热调器件的集成等。
编辑:Cfol        

 本文关键字: AMF IME 硅光
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