新加坡AMF发布SiN-on-Si硅光集成工艺

11/13/2018， 去年年底从新加坡科技研究总局A*STAR旗下光集成芯片流片平台IME剥离出来的硅基光电子芯片晶圆流片公司AMF（先进微晶圆线）日前宣布推出多层SiN-on-Si集成平台，基于该平台可以支持3D光子纳米结构的密集集成，实现高性能，小尺寸，低损耗，方便制造的光子集成器件。

AMF表示SiN-on-Si工艺相比传统用于硅光器件的SOI工艺更有优势。该公司CEO Tan Yong Tsong博士指出，在类似超大规模LS光子集成芯片中，需要更高密度的片上光回路，SOI实现不了这么高的密度。为此，需要在硅层上面增加损耗更低的一层材料以满足复杂的需求。

AMF指出SiN-on-Si工艺主要满足一些特殊的需求，SiN的低损耗，低折射率（相对包层氧化层）也提高了制造便利性，适合制作AWG和其他产品。同时SiN-on-Si也支持实现高速调制器，锗探测器，热调器件的集成等。