武汉敏芯半导体与您相约CIOE2021

9/09/2021，2021年9月16日-18日，第23届中国国际光电博览会将在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办。届时武汉敏芯半导体将展出1310nm高功率低偏振消光比超辐射发光二极管、1310nm半导体光放大器、1310nm大功率DFB激光器、10G 1550/1577nm EML、25G LWDM4/CWDM4 DFB等光通信芯片产品。诚挚邀请您莅临6号馆6C33展位参观、交流及业务洽谈。


1310nm高功率低偏振消光比超辐射发光二极管

S0031-L3-C02是一款中心波长1310nm，BH掩埋，InGaAsP多量子阱的半导体超辐射发光二极管芯片，具有高功率、低偏振消光比、低ripple、高可靠性等特点。关键特性：
1、高芯片功率；
2、谱宽：≥40nm；
3、偏振消光比：<1dB；
4、Ripple：<0.2dB。



1310nm半导体光放大器

   1310nm SOA芯片采用InGaAsP/InP多量子阱结构设计和BH工艺方案，是一款高增益、高饱和输出功率、低NF和低偏振相关特性的半导体光放大器芯片，可作为前置放大应用于数据中心与WDM网络中。关键特性：
1、增益（Gain）：≥16dB；
2、偏振相关增益（PDG）：≤1.5dB；
3、饱和输出光功率（Saturation Power）~7dBm；
4、噪声指数（Noise Figure）：~7dB；
5、增益纹波（Gain Ripple）：≤0.2dB。


1310nm大功率DFB激光器

D0031-C0-0A0-07是基于InGaAsP/InP材料体系设计的1310nm高功率半导体激光器芯片，可用于目前的100G至400G硅光子集成芯片中。芯片可以在非制冷和非气密环境下工作，具有高功率，高边模抑制比和高可靠性等特点。关键特性：
1、低阈值电流；
2、高输出功率；
3、可靠性符合Telcordia GR-468；
4、RoHS Compliant。


10G 1550/1577nm EML

10G 1550/1577nm EML系列为单模边发射EML激光器，采用InGaAsP/InP多量子阱结构设计和BH工艺，芯片正表面提供9位编码用于追溯，且所有出货芯片均经过100%常温及高温测试。其中，10G 1550 EML主要应用于10G 40km/80km TDM传输，10G 1577 EML主要应用于对称10G PON。关键特性：
1、低阈值、高带宽；
2、BH多量子阱结构；
3、高消光比；
4、低偏压工作；
5、可靠性符合Telcordia GR-468；
6、RoHS Compliant。


25G LWDM4/CWDM4 DFB

   25G LWDM/CWDM4 系列为25Gbps单模边发射DFB激光器，分别应用于100Gbps LR4/CWDM4传输系统。该系列采用AlGaInAs多量子阱结构设计，脊波导工艺，芯片正表面提供9位编码用于追溯，且所有出货芯片均经过100%常温及高温测试。

25G LWDM4支持波长1295.56nm、1300.05nm、1304.58nm、309.14nm共4个波长通道。

25G CWDM4支持波长1271nm、1291nm、1311nm、1331nm共4个波长通道。

关键特性：
1、低阈值、高带宽；
2、高输出光功率；
3、工作温度支持50°C～60°C；
4、可靠性符合Telcordia GR-468；
5、RoHS Compliant。



了解更多产品敬请各位新老顾客莅临展位6号馆 6C33参观交流。