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微电子所在厚膜氮化镓与多晶金刚石异质集成方面取得新进展
微电子所在厚膜氮化镓与多晶金刚石异质集成方面取得新进展3/26/2024,光纤在线讯,近日,微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与天津中科晶禾公司等单位合作在厚膜氮化镓(GaN)与多晶金刚石直接键合技术领域取得了新进展。本研究采用动态等离子体抛光(DPP)技术,将多晶金刚石表面凸起尖峰高度从15nm降至1.2nm,获得了表面粗糙度为0.29nm的光滑表......
2024-03-26 11:03:21
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