SK海力士拟斥资38.7亿美元 赴美建首座HBM先进封装厂

光纤在线编辑部  2024-04-07 09:45:49  文章来源:综合整理  版权所有,未经许可严禁转载.

导读:近日,韩国内存大厂SK海力士宣布,斥资38.7亿美元在美国印第安那州兴建新先进内存封装厂,预期2028年下半年开始运营,有望生产HBM4和HBM4E内存产品。

4/07/2024,光纤在线讯,近日,韩国内存大厂SK海力士宣布,斥资38.7亿美元在美国印第安那州兴建新先进内存封装厂,预期2028年下半年开始运营,有望生产HBM4和HBM4E内存产品。

     据报道,该厂将不加工带内存电路的芯片,而是从其他地方(如韩国SK海力士芯片厂)获得这些芯片,再用已知良好堆栈裸晶组装HBM。

     部分用于AI和高性能运算的最先进处理器都采用HBM内存,如AMD MI300系列和Nvidia H100/H200、B100/B200系列产品。在美国设HBM封装厂将使高带宽内存的供应链更具弹性,但从SK海力士声明看,该公司将继续在韩国生产HBM内存设备。

     该工厂预期成本将大幅超越英特尔、台积电封装厂成本,加上HBM4和HBM4E内存堆栈将采用2048位界面,比现有HBM3、HBM3E复杂,因此需要更复杂的封装设备。也因此,预期SK海力士印第安那州厂投产后,将成为世界上最先进的半导体封装工厂之一。

     SK海力士首席执行官Kwak Noh-Jung指出,很高兴能成为业内首间在美国为AI产品创建先进封装设施的企业,期盼新工厂能推进公司AI内存芯片目标,服务客户的需求。

     该厂将位于印第安那州的西拉法叶(West Lafayette),SK海力士表示,之所以选择此处,是因为印第安那州拥有强大工业基础设施,包括以普渡大学和常春藤技术社区学院为首的研发生态系统、半导体专家,及州政府和地方政府的大力支持。

     此外,SK海力士还与普渡大学签署研发项目,并与常春藤技术社区学院(Ivy Tech Community College)合作,开设培训课程和多学科学位课程,培养高科技领域的熟练劳动力。
关键字: SK海力士 斥资 建厂
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