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祝贺祝宁华陈向飞老师等集成化宽频带光发射器件与模块获国家科技发明奖


光纤在线编辑部  2019-01-09 08:00:45 自我撰写 浏览次数:
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1/9/2018, 在昨天发布的国务院关于2018年度国家科学技术奖励的决定中,中科院半导体所祝宁华老师,刘建国老师,刘宇老师,陈伟老师,南京大学陈向飞老师,光迅公司马卫东研究员的集成化宽频带光发射器件与模块获国家技术发明二等奖(F-30902-2-02))。这是通信光芯片领域今年唯一获奖的项目。祝贺各位获奖者,作为陈向飞老师,马卫东研究员的朋友,尤其为他们高兴。

一大清早在央视的早间新闻节目中看到陈向飞老师在接受采访,陈老师这一技术对5G等新一代通信应用的重要性。编辑认识陈老师多年,深深佩服陈老师在光芯片开发领域的造诣,尤其敬佩他在推广光芯片技术产业化方面的执着。相信这一次获奖,能够有助于这一项目尽早落地。作为这一项目的参与者,光迅公司马卫东研究员也是光迅光集成芯片项目研发的带头人之一。这一项目的获奖显示了研究所,大学,企业合作模式的成效。

习近平、李克强、王沪宁、韩正等党和国家领导人出席了昨天中共中央、国务院在北京举办的国家科学技术奖励大会。李克强总理发表重要讲话。他指出,要强化企业创新主体地位,健全产学研一体化创新机制。更多运用市场化手段促进企业创新,只要企业充满创新活力,中国经济就有勃勃生机。要大力营造公平包容的创新创业环境,降低创新创业的制度性成本,提升双创水平,加快构建知识产权创造、保护、运用、服务体系,严厉打击侵权假冒行为,着力激发全社会创新潜能。要加强创新能力开放合作,扩大国家科技计划和项目对外开放,在人员往来、学术交流等方面创造更多便利条件,更加广泛汇聚各方面创新资源。

本次国家科技发明奖一共67项,其中一等奖4项,二等奖63项。
编辑:Cfol        

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