是德科技成功帮助大学开发GaN器件HEMT模型

6/17/2020，光纤在线讯         GaN半导体材料具有禁带宽度大、电子迁移率高、电子饱和速度大、击穿电场高等优点，基于GaN材料的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)成为了微波功率器件及电路领域的研究热点。

尤其是近年来，在 5G 和电力电子等下一代通信应用中，基于氮化镓的射频器件和功率器件发展十分迅猛，但在通信领域，GaN 放大器市场将在 2020 年迎来爆发，有咨询公司预测，光是基站端 GaN 放大器市场规模达 32.7 亿元，与2019相比增长率为 340.8%。

若干年来，国内的很多大学和研究所都在相关领域进行各种深入的研究。例如，GaN 器件建模就是一个非常活跃的研究领域。多年来，包括建模方法在内的各种紧凑型建模解决方案已陆续被提出。

坎普尔印度理工学院，采用是德科技的软件工具和一系列的对器件进行精准参数测试的方案，经过多年的不懈努力，终于开发出业界第一个基于GaN的HEMT的高级SPICE模型，该模型不仅拥有适当的紧凑度，还可以实现极高的精确度和最少的仿真时间。

在此基础上，该研究团队还开发出了以下模型：
非线性访问区域电阻模型
迁移率降低模型
噪音模型
门泄露模型
其它一些模型

那么印度理工学院采用了是德科技的哪些方案组合呢？主要包含以下三个方面：

- B1500系列的IV/CV参数分析仪和B1505 IV/CV大功率分析仪



B1500A 提供极其丰富的测量功能，支持器件、材料、半导体、有源/无源器件甚至几乎所有其他类型电子器件的电气表征和测试，并且具有卓越的测量可靠性和测量效率。B1505A拥有广泛的器件测试功能，其高电压/强电流快速切换选件，适用于 GaN 电流崩塌效应表征。
 

- 具有负载牵引系统的PNA-X系列矢量网络分析方案



PNA-X 系列是业界最先进和最灵活的网络分析仪，通过单次连接便可在一台仪器中完成几乎所有的线性和非线性参数的测试。基于负载牵引的测试方案广泛用于器件建模和放大器性能测试等方面。
 

- 是德科技PathWave 建模(原来的IC-CAP)和ADS系统仿真软件
 


IC-CAP为用于 GaN器件建模的 2 个物理学模型(即 UC Berkeley 与 ITT Kanpur 共同开发的 ASM-HEMT 模型，以及MIT 开发的 MVSG 模型)提供了全新的提取流程。紧凑模型联盟(CMC)已批准这两种模型成为行业标准。

它们可以为氮化镓工艺开发人员带来更广阔的分析视野。例如，工艺工程师可以了解到增加迁移率或降低接触电阻对提高整体功率放大器效率的好处。

两种模型都考虑了电热和载流子陷阱效应，以及其他严重影响非线性射频特性的重要效应，例如接入区、速度饱和、场板和漏致势垒降低(DIBL)效应。


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