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SiFotonics硅光子技术获得突破性进展APD性能全面超越III-V族


光纤在线编辑部  2015-08-30 22:49:53 综合整理 浏览次数:
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SiFotonics公司最近在硅光电子领域中取得了决定性的突破:SiFotonics研发的正面入射型高速锗硅雪崩二极管(APD), 在几乎所有的通信波段的性能全面超越传统III-V族材料APD(例如,10G Ge/Si APD ROSA在1310nm和1550nm灵敏度达到了-29.5dBm),这是硅光有源芯片里程碑式的进展。下图是Ge/Si 10G APD的灵敏度测试结果:


SiFotonics Ge/Si APD是一款技术革命性产品,目前, SiFotonics Ge/Si APD性能迅速得到了来自美国,中国和日本光通信公司的认可。公司CEO潘栋博士谈到:"近十年来硅光技术一直非常火热,虽然硅光产品有明显的成本优势,但市场占有率很低,其根本原因是硅光产品和传统III-V族产品过去在性能上有一定的差距。 由于高性能APD芯片是光通讯领域用量最大的产品之一, 因此SiFotonics Ge/Si APD性能上的突破性进展,意味着硅光产品开始大规模的进入光通讯领域, 例如光纤到户, 100G/400G云计算数据中心等。因为硅光芯片, 很适合大批量规模生产, 我们期待在未来几年里会在市场上迅速占有大量的市场份额”.  

 

SiFotonics作为硅光领域中的国际顶尖公司之一,在过去八年中, 一直致力于高速Ge/Si器件和光电集成器件的研发和生产。该公司的高速Ge/Si雪崩二极管是由国际一流CMOS Foundry代工生产,保证了其良好的可靠性,良率,重复性和一致性。

 

”高性能硅光APD芯片的引入, 不仅对传统的光通信市场是利好, 更可以加速目前硅光集成芯片在100G/400G, 例如PAM4,PSM4上的市场化步伐”, 公司的中国市场VP黄水清补充说, “ 公司预计明年推出量产版的100G的光电集成芯片”. 
编辑:Cfol        

 本文关键字: SiFotonics 硅光子
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